Deposición de MoS2 a Escala de Oblea: El Avance del NIMS de Japón Abre el Camino a Transistores Sub-1nm
Investigadores del NIMS y la Universidad de Tokio han desarrollado una tecnología revolucionaria de deposición a escala de oblea para el material semiconductor de próxima generación MoS2 (disulfuro de molibdeno). Al descubrir dos mecanismos clave de crecimiento, autoalineación y autolimitación, lograron películas monocapa uniformes y de alta calidad en obleas completas de 2 pulgadas. Este avance abre el camino hacia semiconductores post-silicio para transistores de nodo sub-1nm.