El 2 de abril de 2026, NEDO (Organización para el Desarrollo de Nuevas Energías y Tecnología Industrial de Japón) anunció que Rohm había alcanzado los objetivos técnicos de su proyecto "Desarrollo de MOSFET SiC de Nueva Generación en Obleas de 8 Pulgadas" dos años antes del plazo original, fijado para finales de 2027. Los objetivos eran dos: recortar en un 50% o más las pérdidas de energía en los convertidores, y reducir costes. Rohm cumplió ambos y cerró el proyecto de I+D en el ejercicio fiscal 2025.

En términos sencillos: Rohm ha puesto en marcha una línea que fabrica chips de potencia de nueva generación en obleas más grandes, chips que desperdician un 50% menos de energía que las alternativas convencionales de silicio.

Los semiconductores de potencia son los héroes silenciosos de la electrónica moderna. Controlan y convierten la energía eléctrica en todo, desde inversores de motores para vehículos eléctricos y acondicionadores de energía para paneles solares hasta fuentes de alimentación para centros de datos. Tradicionalmente, los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) basados en silicio han dominado este espacio. Pero los MOSFET de SiC (carburo de silicio) pueden alcanzar niveles de eficiencia que el silicio simplemente no puede igualar.

Un ejemplo concreto: reemplazar los IGBT de silicio con MOSFET de SiC en el inversor de un vehículo eléctrico puede extender la autonomía entre un 5% y un 10% con el mismo paquete de baterías. O los fabricantes pueden mantener la misma autonomía con una batería más pequeña, ligera y barata.

Por qué las obleas de 8 pulgadas son revolucionarias

El otro logro crucial es la fabricación de dispositivos SiC en obleas de 8 pulgadas (200 mm).

Una oblea es el disco circular del que se cortan los chips individuales. La mayoría de los semiconductores de potencia SiC actuales se fabrican en obleas de 6 pulgadas (150 mm). El paso a 8 pulgadas aumenta el número de chips por oblea aproximadamente 1,8 veces, lo que se traduce directamente en un menor coste por chip: hasta un 40% de reducción según estimaciones de la industria.

Pero el SiC es notoriamente difícil de trabajar. El crecimiento de cristales de SiC requiere temperaturas de alrededor de 2.500°C, y mantener los defectos cristalinos bajo control mientras se amplía el tamaño de la oblea exige una tecnología de proceso extremadamente avanzada. Rohm desarrolló técnicas optimizadas de crecimiento epitaxial (un método para cultivar películas cristalinas delgadas de alta calidad sobre un sustrato) y construyó una línea de fabricación dedicada de dispositivos SiC de 8 pulgadas en su fábrica de Chikugo, en la prefectura de Fukuoka.

El proyecto financiado por NEDO arrancó en abril de 2022 y apuntaba originalmente a cumplir sus objetivos técnicos a finales de 2027. NEDO explica que el adelanto vino de acelerar deliberadamente el trabajo, bajo la idea de que había que asegurar tecnología SiC competitiva pronto, con la demanda mundial en expansión.

La carrera global de semiconductores de potencia SiC

El mercado de semiconductores de potencia SiC está en auge. La consultora Mordor Intelligence lo estima en unos $2.700 millones en 2025 y proyecta que alcance los $8.400 millones para 2030, con un crecimiento anual superior al 25%.

Los principales actores del mundo están inmersos en una feroz competencia:

STMicroelectronics (Suiza/Francia/Italia) ocupaba el primer puesto con aproximadamente el 33% de cuota de mercado en dispositivos SiC en 2023, respaldado por un contrato de suministro a largo plazo con Tesla. Está construyendo una fábrica SiC totalmente integrada en Catania, Italia.

onsemi (EE.UU.) ha crecido rápidamente, impulsado por su serie automotriz EliteSiC. Está realizando la transición a producción de 8 pulgadas en su planta de Bucheon, Corea del Sur, y construyendo una instalación SiC verticalmente integrada de $2.000 millones en la República Checa.

Infineon Technologies (Alemania) es el mayor fabricante mundial de semiconductores de potencia. Está construyendo una megafábrica SiC de 200 mm en Kulim, Malasia, con el objetivo de alcanzar el 30% de cuota de mercado SiC para 2030.

Mientras tanto, Wolfspeed (EE.UU.), que alguna vez fue pionera en tecnología SiC, se declaró en bancarrota bajo el Capítulo 11 en junio de 2025 tras acumular deudas masivas por la expansión de su fábrica de obleas de 8 pulgadas, con rendimientos de producción que, según la prensa, quedaron muy por debajo del 70% que se considera referencia del sector. Salió del proceso en septiembre con un 70% menos de deuda. Renesas Electronics de Japón convirtió su deuda de Wolfspeed en capital accionario y obtuvo un asiento en la junta directiva.

Los competidores chinos también están surgiendo. TanKeBlue y SICC han expandido rápidamente su cuota en el suministro de obleas SiC y están desarrollando sustratos de 12 pulgadas.

La "gran reorganización" de los semiconductores de potencia en Japón

El logro técnico de Rohm no puede separarse de la consolidación industrial masiva en curso en Japón.

El 27 de marzo de 2026, Rohm, Toshiba y Mitsubishi Electric anunciaron que iniciarían conversaciones sobre la fusión de sus negocios de semiconductores de potencia. En el perímetro entran la propia Rohm, el negocio de semiconductores de Toshiba Device & Storage (filial de Toshiba) y el negocio de dispositivos de potencia de Mitsubishi Electric. Rohm aporta el SiC para automoción, Toshiba Device & Storage contribuye experiencia en MOSFET de silicio, y Mitsubishi Electric ofrece fortaleza en IGBT y módulos de potencia. En suma simple, la entidad combinada tendría en torno al 10% de cuota de mercado global, solo por detrás de Infineon.

El detonante fue la aproximación de Denso a Rohm en febrero de 2026. Denso, proveedor central del Grupo Toyota, propuso una adquisición que la prensa cifró en unos $8.000 millones. Buscaba acceso estable a chips de potencia de grado automotriz, pero integrar a Rohm en la cadena de un solo fabricante abría el riesgo de limitar el suministro al resto de clientes. Un comité especial de consejeros externos de Rohm revisó la oferta, no la respaldó, y Denso terminó retirando la propuesta.

El presidente de Rohm, Katsumi Azuma, afirmó que un crecimiento sostenible exige que las compañías con la misma ambición se junten en lugar de operar como pequeños actores individuales. Sobre la aproximación de Denso dijo que no era exactamente la llegada de los barcos negros, pero que aceleró la discusión sobre la integración.

Lo que significa este logro

Levantar una línea de 8 pulgadas es un paso para acercar el precio de los dispositivos SiC al del silicio. El coste es el factor que condiciona la adopción del SiC, así que esto abre la puerta a vehículos eléctricos de gama media y equipos industriales que hasta ahora lo descartaban. Que Japón llegara ahí mientras Wolfspeed penaba con la misma transición no es un detalle menor.

La mejora en la eficiencia de conversión de energía reduce las emisiones de CO2 en vehículos eléctricos, energía solar, eólica y centros de datos por igual. Conviene señalar de dónde salió: del Fondo de Innovación Verde de NEDO, un marco público-privado, lo que convierte el resultado en un dato sobre si ese tipo de política industrial funciona.

¿Cómo están progresando el desarrollo de semiconductores de potencia y la reestructuración industrial en tu país?

Referencias