💾 Falta memoria. Los centros de datos de IA se están tragando toda la DRAM del mundo y el precio sube trimestre tras trimestre. La japonesa Kioxia quiere tapar ese agujero con un chip que nunca se pensó como memoria: la flash de almacenamiento.

Usar como memoria la flash que servía para almacenar

El 3 de agosto de 2026 Kioxia presentó el módulo de expansión de memoria KIOXIA XL1. Lo exhibió como referencia en su estand de FMS: the Future of Memory and Storage, celebrado del 4 al 6 de agosto en Santa Clara, California, y tiene previsto enviar muestras de evaluación a colaboradores del ecosistema industrial durante agosto de 2026.

Módulo de expansión de memoria para CXL, serie KIOXIA XL1

Fuente: Kioxia

El XL1 combina XL-FLASH, la memoria flash de baja latencia de Kioxia, con una interfaz CXL (Compute Express Link, el estándar del sector que conecta el procesador con la memoria y los periféricos a través de un enlace rápido). La idea es sencilla: mover al módulo los datos que casi nadie consulta y dejar la escasa DRAM libre para el trabajo que de verdad la necesita. Kioxia lo plantea como una forma de cerrar el hueco de velocidad y de precio que se abre entre la DRAM corriente y los SSD, de modo que los operadores de hiperescala amplíen capacidad sin añadir DIMM.

La IA se está comiendo la memoria del mundo

Según la consultora TrendForce, en el segundo trimestre de 2026 los precios de contrato de la DRAM convencional subieron entre un 58 % y un 63 % respecto al trimestre anterior, y los de la NAND flash entre un 70 % y un 75 %. En el tercer trimestre la subida se moderó al 13-18 % en DRAM y al 10-15 % en NAND, pero no porque mejorara la oferta: los precios de contrato ya están en máximos históricos y los fabricantes de ordenadores y móviles han llegado al límite de lo que pueden asumir. El freno está en el comprador, no en el vendedor.

La cantidad de DRAM que cabe en un servidor tiene un tope físico. Las cargas de IA lo superan sin esfuerzo y lo que desborda acaba en el almacenamiento, donde leer es órdenes de magnitud más lento. A ese precipicio el sector lo llama el muro de la memoria.

Cinco microsegundos es rápido, pero no es DRAM

XL-FLASH es la memoria flash que Kioxia diseñó para baja latencia. Divide el chip en 16 planos para recortar los tiempos de espera de lectura y escritura, y la compañía sitúa la latencia de lectura por debajo de 5 microsegundos. El tamaño de página es de 4 KB y las matrices llegan en versiones de 128 gigabits en SLC y 256 gigabits en MLC.

Una lectura de DRAM ronda por lo general los 100 nanosegundos, es decir, una décima de microsegundo. Menos de 5 microsegundos es mucho más rápido que un SSD corriente y sigue quedando lejos de la DRAM. El XL1 no sustituye a la DRAM: es un escalón más barato colocado por debajo, y su valor dependerá en buena medida de que el software sepa distinguir correctamente qué datos están fríos.

El 4 de agosto Kioxia presentó además un producto relacionado, la serie KIOXIA GP1. Es un SSD PCIe 6.0 pensado para el acceso directo desde la GPU, construido sobre XL-FLASH de segunda generación, que alcanza hasta 10 millones de IOPS de lectura aleatoria con bloques de 512 bytes. Las generaciones futuras apuntan a un máximo de 100 millones de IOPS. Las muestras de evaluación llegarán a clientes seleccionados antes de que termine 2026.

Partir de la DRAM o partir de la flash

Ampliar memoria mediante CXL no es una idea exclusiva de Kioxia. Samsung Electronics desarrolla CMM-D, un módulo de DRAM compatible con CXL, y planea producir en serie el CMM-D 3.0, basado en la especificación más reciente, CXL 3.2, dentro de 2026. SK hynix mostró en junio de 2026 muestras de un CMM-DDR5 de segunda generación, también sobre CXL 3.2, y ha iniciado conversaciones de suministro con clientes, aunque no ha revelado calendario de producción. Micron sacó su módulo CXL 2.0, el CZ120, ya en 2023.

Los fabricantes coreanos trabajan esa misma vía en paralelo. Samsung juntó DRAM y NAND en una misma tarjeta con CMM-H, presentado en FMS en 2022 como Memory-Semantic SSD, que usa la DRAM como caché y la NAND para la capacidad; en julio de 2026 seguía descrito como producto en desarrollo. SK hynix, según TrendForce, ha descrito una arquitectura llamada IMTE que intercala memoria híbrida CXL entre la HBM o la DDR y los SSD, con una mejora del 35,7 % en eficiencia de inferencia.

Lo que cambia es la mezcla. Las empresas que fabrican DRAM y NAND parten de la DRAM y le añaden NAND. Kioxia, que no tiene DRAM, parte de la propia flash. Las cartas que a cada una le tocaron acaban dando forma al producto.

Un país sin DRAM ataca desde la flash

De acuerdo con TrendForce, en el primer trimestre de 2026 Samsung encabezó la cuota de ingresos en NAND flash con un 31,6 %, seguida del grupo SK hynix con un 17,6 %, y Kioxia quedó tercera con un 13,9 % y unos ingresos de 5.960 millones de dólares. En NAND, Japón está claramente en cabeza.

Con la DRAM ocurre lo contrario. Japón ya no tiene ninguna empresa de capital propio que fabrique DRAM en volumen. La única planta del país que produce DRAM es la de Hiroshima de Micron Memory Japan, heredera de la antigua Elpida Memory. En julio de 2026 la compañía colocó la primera piedra de una nueva sala limpia dentro de un plan de inversión de 1,5 billones de yenes, unos 9.500 millones de dólares al cambio de 157,6 yenes por dólar de principios de agosto de 2026, con una subvención del Ministerio de Economía, Comercio e Industria de hasta 536.000 millones de yenes, alrededor de 3.400 millones de dólares. Quien construye, sin embargo, es una empresa estadounidense.

Japón no puede responder a la escasez mundial de DRAM fabricando más DRAM. Si quiere responder, el camino que le queda pasa por reorganizar la propia jerarquía de memoria desde el lado en el que es fuerte, la flash. El XL1 se lee con naturalidad como esa estrategia convertida en producto.

Aun así, el XL1 sigue en fase de exhibición de referencia, sin capacidades de módulo ni precios anunciados, y la propia Kioxia advierte de que las muestras incluyen funciones no evaluadas del todo y de que las especificaciones pueden cambiar. La memoria CXL en general sigue estando, en 2026, asignada sobre todo a los grandes proveedores de nube y no es un componente que se pueda pedir para un servidor cualquiera.

En Japón la subida de precios de la memoria ya ha bajado a la vida cotidiana en forma de ordenadores y móviles más caros. ¿Cómo se está viviendo en tu país? ¿Se discute allí sobre los centros de datos de IA?

Referencias