El mayor fabricante de chips por contrato del mundo anunció que se retiraba de una tecnología en pleno auge. En ese momento, un veterano fabricante japonés de semiconductores se movió. El anuncio de que TSMC abandonará por completo la fabricación de nitruro de galio (GaN) a mediados de 2027 sacudió a la industria de los semiconductores de potencia. En este contexto, Rohm, con sede en Kioto, adquirió la licencia de la tecnología GaN de TSMC y viró hacia la producción propia en su fábrica de Hamamatsu. Te contamos al detalle este movimiento, que afecta a todo, desde el cargador del móvil hasta los centros de datos de IA.

La decisión de Rohm: incorporar la tecnología de TSMC a su propia producción

El 4 de febrero de 2026, el presidente de Rohm, Katsumi Azuma, reveló un giro estratégico importante durante la presentación de resultados. Rohm adquirirá una licencia de tecnología de TSMC, el mayor fabricante de semiconductores por contrato del mundo, para fabricar en sus propias plantas semiconductores de potencia GaN de 650 V.

"Como veníamos poniendo esto en marcha junto con TSMC, hemos decidido comprarles la licencia y virar hacia la producción propia", explicó Azuma.

El centro de producción será la filial Rohm Hamamatsu (ciudad de Hamamatsu), donde se pondrá en marcha una línea específica de GaN sobre obleas de 8 pulgadas (200 mm). Rohm mantiene además un esquema flexible: si la demanda se dispara, encargará parte de la producción a Vanguard International Semiconductor (VIS), empresa asociada de TSMC.

¿Por qué se retira TSMC del GaN?

El origen de esta historia está en una decisión inesperada de la empresa de semiconductores más importante del mundo. A mediados de 2025, TSMC anunció formalmente que se retiraría por completo del negocio de fundición de GaN antes del 31 de julio de 2027.

La razón es sencilla. La fabricación de GaN es un mercado en crecimiento, pero su escala y sus márgenes son mucho menores que los del negocio principal de TSMC: la fabricación de procesadores de IA. TSMC planea reconvertir su planta Fab 5 de Hsinchu, hoy dedicada al GaN, en unas instalaciones de encapsulado avanzado para IA, ante la explosión de la demanda de la tecnología CoWoS (chip-on-wafer-on-substrate), imprescindible para ensamblar los chips de IA de NVIDIA y otros.

Con todo, TSMC no dejará desaparecer su tecnología de GaN, sino que optó por transmitirla mediante licencias. Hasta ahora la han adquirido tres empresas: VIS (asociada de TSMC), GlobalFoundries (gran fundición estadounidense) y Rohm. Cada una con una estrategia distinta: VIS, la fabricación por contrato como fundición; GlobalFoundries, levantar un centro de producción de GaN en EE. UU. con apoyo de la Ley CHIPS; y Rohm, internalizar la fabricación de sus propios productos de marca.

¿Qué es el GaN? El impacto del semiconductor de potencia de nueva generación

El GaN (nitruro de galio) es un material semiconductor "de nueva generación" que está revolucionando el control de la energía. Es fácil entenderlo como una mejora sustancial de los semiconductores de potencia de silicio, dominantes durante décadas.

En una frase, la fuerza del GaN es "controlar la electricidad sin desperdicio, con rapidez y de forma compacta". Ofrece una alta eficiencia en la conversión de energía, una velocidad de conmutación muchísimo mayor y un menor calentamiento, lo que aporta ventajas en muchas situaciones cotidianas.

¿Ese cargador rápido del tamaño de la palma de la mano que carga tu portátil? Gracias a la tecnología GaN. ¿El sistema de alimentación que mantiene a raya el consumo eléctrico de un centro de datos de IA? El GaN se vuelve imprescindible. ¿El cargador de a bordo que reduce drásticamente el tiempo de carga de un vehículo eléctrico? También ahí trabaja el GaN.

El tamaño del mercado respalda esas expectativas. Según la consultora Yole Group, el mercado de dispositivos de potencia GaN pasará de unos 355 millones de dólares (unos 53.000 millones de yenes) en 2024 a unos 3.000 millones de dólares (unos 450.000 millones de yenes) en 2030. Es un crecimiento vertiginoso, unas nueve veces en apenas seis años, con una tasa de crecimiento anual media del 42%. Lo impulsan los cargadores rápidos de consumo, las fuentes de alimentación para centros de datos de IA, los sistemas de carga de vehículos eléctricos y los inversores para energías renovables.

Dónde está Japón: la realidad de quedarse fuera del top 5

La capacidad técnica de Rohm está muy valorada, pero hay una realidad que conviene mirar de frente: en el ranking mundial de cuota de mercado de dispositivos de potencia GaN, ninguna empresa japonesa figura entre las cinco primeras. Encabeza la lista la china Innoscience (alrededor del 30%), seguida de las estadounidenses Power Integrations, Navitas Semiconductor y EPC.

Detrás de la decisión de Rohm de internalizar la fabricación de GaN hay un sentido de urgencia ante este entorno competitivo. Consolidar la producción propia permite reducir costos, acortar los ciclos de desarrollo y diferenciar los productos. Rohm sostiene que "el costo de los dispositivos GaN se igualará al del silicio en un plazo de cinco años a lo sumo"; si eso ocurre, el mercado se ampliará de golpe.

La estrategia GaN de Rohm no se limita a fabricar chips. Desde 2022 mantiene una alianza estratégica con la taiwanesa Delta Electronics para codesarrollar dispositivos GaN, y colabora con la alemana Infineon en la estandarización del encapsulado de semiconductores de potencia SiC (carburo de silicio). Además, sus GaN HEMT se han adoptado en las fuentes de alimentación para servidores de IA de Murata Power Solutions, avanzando en la construcción de todo un ecosistema.

El panorama general: una cadena de suministro global que se reconfigura

El movimiento de Rohm forma parte de una gran reconfiguración de la cadena de suministro global provocada por la salida de TSMC del GaN. Se está pasando de un modelo en el que una sola megafundición dominaba la fabricación de GaN a una red de producción especializada y distribuida entre varios países.

GlobalFoundries sitúa su planta de Vermont como centro de fabricación de GaN en EE. UU. y recibe más de 80 millones de dólares (unos 12.000 millones de yenes) de apoyo del gobierno federal. VIS despliega un servicio integral de fundición que combina la tecnología licenciada de TSMC con su propia tecnología de sustrato GaN-on-QST. Samsung prepara su entrada en el mercado del GaN en 2026. Y la china Innoscience sigue ampliando su capacidad de producción de GaN sobre silicio de 8 pulgadas, cuya competitividad en costos fue uno de los factores de la retirada de TSMC.

Para Rohm, trasladar la fabricación de GaN a Hamamatsu no es solo una decisión de producción: es una declaración estratégica sobre el lugar de Japón en el futuro de la electrónica de potencia. Ahora que la seguridad de la cadena de suministro de semiconductores se ha convertido en estrategia nacional en muchos países, contar con capacidad de fabricación de GaN dentro del país es una carta importante para Japón.

Cómo nos afecta en el día a día

Esta ola de cambios acabará llegando también a los consumidores. Unos dispositivos de potencia GaN más eficientes permiten cargadores y adaptadores más pequeños y ligeros. También reducen el consumo eléctrico de los servicios de IA (y, con ello, su costo), acortan el tiempo de carga de los vehículos eléctricos y amplían su autonomía, y disminuyen las pérdidas de conversión en las energías renovables.

Que la planta de Hamamatsu de Rohm se sume a la red mundial de fabricación de GaN aporta diversidad y resiliencia a una cadena de suministro de la que el mundo depende cada vez más.

En Japón se debate con intensidad si el país podrá competir en los semiconductores de nueva generación frente a rivales chinos y estadounidenses con grandes recursos. ¿Y en tu país? ¿Qué impacto está teniendo la tecnología GaN en el campo de la electrónica y la energía? Cuéntanos tu punto de vista.

Referencias