La DRAM, el chip que funciona como la memoria a corto plazo de tu dispositivo, está alcanzando los límites físicos de su diseño plano. La salida es apilar las celdas de memoria verticalmente. Y un retador inesperado ha entrado en la competencia: Kioxia, una empresa conocida solo por almacenamiento flash, ahora apunta al mercado DRAM.

Por qué la DRAM se vuelve 3D: el problema físico que afecta a todos los dispositivos

La DRAM es el banco de trabajo de alta velocidad donde el procesador deja los datos que está usando en ese momento. Su velocidad y su capacidad marcan el techo del rendimiento del sistema, y por eso dependen de ella todos los teléfonos, PCs y centros de datos de IA.

Durante décadas, los fabricantes redujeron los transistores en chips planos bidimensionales. El proceso más avanzado ha alcanzado unos 12 nanómetros y los límites físicos se acercan: cuanto más pequeño es el transistor, más interferencia hay entre celdas vecinas y más rápido se fugan las cargas que guardan los datos.

Aquí entra la DRAM 3D: apilar las celdas verticalmente hace crecer la capacidad sin que crezca el tamaño del chip. La memoria flash NAND ya demostró que el enfoque funciona, con más de 300 capas en producción en volumen. La industria DRAM compite ahora por aplicar el mismo principio.

El movimiento audaz de Kioxia: usar un material de pantalla de TV para construir DRAM de nueva generación

El participante más sorprendente de esta carrera es Kioxia (antes Toshiba Memory), fabricante exclusivo de flash NAND y sin un solo producto DRAM en catálogo.

El 10 de diciembre de 2025, en el IEDM celebrado en San Francisco, Kioxia presentó nuevos avances en su tecnología "OCTRAM" (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), que utiliza IGZO (óxido de indio, galio y zinc) como material del canal del transistor. La OCTRAM se estrenó un año antes, en el IEDM 2024, desarrollada junto a la taiwanesa Nanya Technology; el trabajo de este año la lleva a las tres dimensiones.

Si IGZO te suena familiar, es porque el mismo material está detrás de los paneles LCD y OLED. ¿Por qué funcionaría un material de pantalla para chips de memoria?

La clave está en su corriente de fuga extremadamente baja. La DRAM almacena datos como cargas eléctricas que se escapan poco a poco, lo que obliga a ciclos constantes de "refresco", y cuanto mayor es el arreglo, más pesa esa energía de refresco. Los transistores IGZO tienen fugas varios órdenes de magnitud menores que el silicio convencional, y eso recorta ese consumo de forma directa.

En esta última demostración, Kioxia formó transistores IGZO laterales de ocho en ocho capas, reemplazando regiones de nitruro de silicio por óxido semiconductor, y confirmó que funcionaban. Reportó una corriente de encendido superior a 30μA y una corriente de apagado inferior a 1 atoamperio (10^-18 amperios).

El método importa tanto como las cifras: la pila alternada de óxido y nitruro que emplea es la misma que Kioxia lleva años perfeccionando en 3D NAND, donde apila cientos de capas de forma rutinaria. La empresa apunta a la comercialización durante la década de 2030.

El panorama competitivo: una carrera tripartita en Asia Oriental

Samsung (Corea del Sur): primera en publicar una hoja de ruta de DRAM 3D

Samsung Electronics, el mayor fabricante de memoria del mundo, fue la primera gran empresa en delinear públicamente una hoja de ruta de DRAM 3D, en Memcon 2024. El gigante coreano planea introducir una versión temprana basada en transistores de canal vertical y entregar una DRAM completamente apilada para 2030. Según el medio coreano KED Global, Samsung proyecta que la DRAM 3D alcanzará una capacidad base de 100GB por chip, unas tres veces el máximo actual de DRAM de unos 36GB. La compañía también ha montado un laboratorio de I+D dedicado a la DRAM 3D en Silicon Valley.

SK hynix (Corea del Sur): el rey de la memoria para IA

SK hynix domina el mercado de Memoria de Alto Ancho de Banda (HBM). Counterpoint Research situó su cuota de ingresos en el 57% en el tercer trimestre de 2025, por delante de Samsung (22%) y Micron (21%), y sigue siendo el proveedor principal de NVIDIA. Esa ventaja se trasladó al mercado general: SK hynix superó a Samsung en ingresos de DRAM por primera vez en el primer trimestre de 2025 y encadenó tres trimestres al frente antes de que Samsung recuperara el liderazgo en el cuarto. En el conjunto de 2025 registró un beneficio operativo récord de 47,2 billones de wones frente a los 43,6 billones de Samsung, superando a su rival en beneficio por primera vez.

SK hynix anunció en septiembre de 2025 que había completado el desarrollo de la HBM4 y arrancó el suministro en volumen en la primera mitad de 2026, con la plataforma "Rubin" de NVIDIA como destino. En cuanto a la DRAM 3D, la compañía también ha revelado que explora el IGZO como material de canal, en una trayectoria técnica similar a la de Kioxia.

CXMT (China): la estrella emergente que desafía las sanciones

El mayor fabricante de DRAM de China, CXMT (ChangXin Memory Technologies), sigue ganando terreno pese a las restricciones de exportación de EE.UU. Counterpoint Research sitúa su cuota de ingresos de DRAM en el 5% en el tercer trimestre de 2025, frente al 3% un año antes, y ya produce en masa DDR5 y LPDDR5X.

En el IEDM 2025, CXMT también presentó transistores IGZO formados mediante procesos BEOL (interconexión posterior), con una corriente de encendido de 60,9 μA/μm. Además mostró una tecnología de FeRAM 3D (memoria ferroeléctrica) derivada de estructuras de DRAM 3D, que apunta a una memoria "casi no volátil".

Los controles estadounidenses a la exportación de equipos limitan el acceso de CXMT a las herramientas más avanzadas, pero su capacidad de avanzar dentro de esas restricciones inquieta a los fabricantes coreanos.

YMTC (China): cerrando la brecha en flash NAND

YMTC (Yangtze Memory Technologies Corporation) ha surgido con chips 3D NAND avanzados que superan las 232 capas, acercándose a los niveles tecnológicos de Samsung y Micron. Aunque no es un actor directo en DRAM 3D, el progreso de YMTC ilustra el fortalecimiento general de las capacidades chinas en memoria semiconductora.

La explosión de la demanda de IA: por qué la memoria es el próximo cuello de botella

La urgencia detrás del desarrollo de DRAM 3D proviene de una sola palabra: IA.

Entrenar y ejecutar grandes modelos de lenguaje requiere enormes capacidades de memoria y velocidades de transferencia ultrarrápidas. Las GPU Blackwell de NVIDIA consumen HBM en cantidades enormes y la demanda supera con holgura a la oferta.

La factura ha caído sobre la memoria convencional. Según TrendForce, los precios de contrato de la DRAM convencional subieron entre un 90% y un 95% intertrimestral en el primer trimestre de 2026, y prevé otro alza del 58% al 63% en el segundo, porque Samsung, SK hynix y Micron están reasignando nodos avanzados y capacidad nueva hacia servidores y HBM. Los fabricantes de PCs y teléfonos son los que quedan fuera del reparto, y no se espera capacidad de fábrica relevante antes de finales de 2027.

Pero la HBM también topará con sus propios límites de capacidad y ancho de banda. Ahí entra la DRAM 3D: si la capacidad por unidad de área sube lo suficiente, el cuello de botella se muda a otra parte.

¿Puede la industria de memoria de Japón regresar?

En la década de 1980, las empresas japonesas controlaban cerca del 80% del mercado mundial de DRAM. Las fricciones comerciales con EE.UU., el ascenso de los competidores coreanos y unas decisiones de gestión lentas acabaron con eso. En el tercer trimestre de 2025, Counterpoint repartía la cuota de ingresos de DRAM así: SK hynix 34%, Samsung 33% y Micron 26%. Más del 90% entre los tres, y ningún japonés en el tablero.

El desarrollo de DRAM 3D de Kioxia desafía esta situación. Una empresa exclusiva de NAND que entra al mercado DRAM no tiene precedentes, pero el cambio de paradigma a DRAM 3D representa una ventana de oportunidad única en décadas para nuevos participantes.

No es el único intento japonés. SAIMEMORY, filial de SoftBank fundada en diciembre de 2024, trabaja con Intel en ZAM (Z-Angle Memory), una arquitectura de DRAM apilada que busca recortar hasta la mitad el consumo frente a la HBM. El plan contempla unos 8.000 millones de yenes hasta el año fiscal 2027 para construir un prototipo, con la puesta en práctica prevista para el año fiscal 2029.

Los desafíos son reales. La tecnología de Kioxia sigue en fase de investigación y la producción en masa exige superar barreras de fiabilidad, coste y rendimiento de fabricación. La Optane de Intel y Micron fue técnicamente impresionante y aun así no encontró mercado.

Lo que sí marca el resultado de ocho capas es el paso de proponer una estructura a demostrar una pila. Usar el IGZO, un material con raíces profundas en la tecnología de pantallas japonesa, para flanquear el mercado de memoria para IA es una de las pocas jugadas que le quedan a la industria de semiconductores de Japón en este tablero.

¿Qué está sucediendo en la industria de memoria en tu país? ¿Hay esfuerzos para desarrollar tecnología de memoria propia o recuperar cuota de mercado?

Referencias